Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

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Q2456690
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: AL-TO Prova: FGV - 2024 - AL-TO - Analista Legislativo - Engenharia |
Q2456690 Engenharia Eletrônica
O transistor bipolar de junção do tipo npn possui duas junções pn e, portanto, pode funcionar como um diodo.
Para que isso ocorra,
Alternativas
Q2381483
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381483 Engenharia Eletrônica
Na configuração porta-comum de um MOSFET, o terminal ligado ao terra, o terminal utilizado para receber o sinal de entrada e o terminal do qual se obtém o sinal de saída são, respectivamente, 
Alternativas
Q2381482
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381482 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a 
Alternativas
Q2381480
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381480 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente. 
Alternativas
Q2364410
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364410 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.

Alternativas
Respostas
1: B
2: D
3: C
4: C
5: E
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