Questões de Concurso Público FIOCRUZ 2010 para Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica

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Q569014 Engenharia Eletrônica
                                  Imagem associada para resolução da questão


No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.

O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Alternativas
Q569017 Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.

Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Alternativas
Q569018 Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.

Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Alternativas
Q569020 Engenharia Eletrônica
A figura 1 mostra um circuito amplificador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.


A figura 2, por sua vez, mostra um gráfico, fora de escala, com a reta de carga do amplificador.

Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se afirmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
Alternativas
Respostas
1: B
2: A
3: E
4: B